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STFI13NM60N

STFI13NM60N
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Référence STFI13NM60N
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK FP
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 5519 pcs
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Référence STFI13NM60N Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK FP État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5519 pcs Fiche technique STFI13NM60N
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur I2PAKFP (TO-281) Séries MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 5.5A, 10V Dissipation de puissance (max) 25W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Autres noms 497-12857-5 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 600V Description détaillée N-Channel 600V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)

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