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STFU16N65M2

STFU16N65M2
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Référence STFU16N65M2
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET
État sans plomb / État RoHS
In Stock 63354 pcs
Référence Prix
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$0.484

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Référence STFU16N65M2 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible 63354 pcs Fiche technique STFU16N65M2
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220FP Séries MDmesh™ M2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 5.5A, 10V Dissipation de puissance (max) 25W (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 718pF @ 100V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19.5nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 650V
Description détaillée N-Channel 650V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)

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