STFU9N65M2
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| Référence | STFU9N65M2 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET |
| État sans plomb / État RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.293 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STFU9N65M2 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET | État sans plomb / État RoHS | |
| Quantité disponible | 69878 pcs | Fiche technique | STFU9N65M2 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-220FP | Séries | MDmesh™ M2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 2.5A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 20W (Tc) |
| Package / Boîte | TO-220-3 Full Pack | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Délai de livraison standard du fabricant | 42 Weeks |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 315pF @ 100V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 650V |
| Description détaillée | N-Channel 650V 5A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220FP | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 5A (Tc) |
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