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STFU6N65

STFU6N65
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Référence STFU6N65
Fabricant STMicroelectronics
La description N-CHANNEL 650 V, 1.2 OHM TYP., 4
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 73679 pcs
Référence Prix
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Référence STFU6N65 Fabricant STMicroelectronics
La description N-CHANNEL 650 V, 1.2 OHM TYP., 4 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 73679 pcs Fiche technique
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220FP Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 Ohm @ 2A, 10V Dissipation de puissance (max) 620mW (Ta), 77W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3 Full Pack
Autres noms 497-16968 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TA)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 463pF @ 25V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 650V Description détaillée N-Channel 650V 4A (Tc) 620mW (Ta), 77W (Tc) Through Hole TO-220FP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)

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