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STGB30H60DF

STGB30H60DF
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Référence STGB30H60DF
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 60A 260W D2PAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 4677 pcs
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Référence STGB30H60DF Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 60A 260W D2PAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4677 pcs Fiche technique STG(B,P)30H60DF
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A Condition de test 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 50ns/160ns énergie de commutation 350µJ (on), 400µJ (off)
Package composant fournisseur D2PAK Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 110ns Puissance - Max 260W
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms 497-15119-1 Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type d'entrée Standard
type de IGBT Trench Field Stop gate charge 105nC
Description détaillée IGBT Trench Field Stop 600V 60A 260W Surface Mount D2PAK Courant - Collecteur pulsée (Icm) 120A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 60A

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