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STGB30H65FB

STGB30H65FB
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Référence STGB30H65FB
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT
État sans plomb / État RoHS
In Stock 71037 pcs
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Référence STGB30H65FB Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible 71037 pcs Fiche technique Power Mgmt Guide BrochureSTGB30H65FB
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A Condition de test 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 37ns/146ns énergie de commutation 151µJ (on), 293µJ (off)
Package composant fournisseur D2PAK Séries HB
Puissance - Max 260W Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Type d'entrée Standard
type de IGBT Trench Field Stop gate charge 149nC
Description détaillée IGBT Trench Field Stop 650V 60A 260W Surface Mount D2PAK Courant - Collecteur pulsée (Icm) 120A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 60A

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