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STGB30V60DF

STGB30V60DF
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Référence STGB30V60DF
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 60A 258W D2PAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 38088 pcs
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Référence STGB30V60DF Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 60A 258W D2PAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 38088 pcs Fiche technique STGx(x)30V60DF
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 30A Condition de test 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 45ns/189ns énergie de commutation 383µJ (on), 233µJ (off)
Package composant fournisseur D2PAK Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 53ns Puissance - Max 258W
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms 497-15120-2 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT Trench Field Stop
gate charge 163nC Description détaillée IGBT Trench Field Stop 600V 60A 258W Surface Mount D2PAK
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 120A Courant - Collecteur (Ic) (max) 60A

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