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STGB4M65DF2

STGB4M65DF2
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Référence STGB4M65DF2
Fabricant STMicroelectronics
La description TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 124885 pcs
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Référence STGB4M65DF2 Fabricant STMicroelectronics
La description TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 124885 pcs Fiche technique STGB4M65DF2 Datasheet
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A Condition de test 400V, 4A, 47 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 12ns/86ns énergie de commutation 40µJ (on), 136µJ (off)
Package composant fournisseur D2PAK Séries M
Temps de recouvrement inverse (trr) 133ns Puissance - Max 68W
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms 497-16964-2 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT Trench Field Stop
gate charge 15.2nC Description détaillée IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount D2PAK
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 16A Courant - Collecteur (Ic) (max) 8A

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