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STGB5H60DF

STGB5H60DF
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Référence STGB5H60DF
Fabricant STMicroelectronics
La description TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 91583 pcs
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Référence STGB5H60DF Fabricant STMicroelectronics
La description TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 91583 pcs Fiche technique STG(B,D,F,P)5H60DF Datasheet
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 5A Condition de test 400V, 5A, 47 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 30ns/140ns énergie de commutation 56µJ (on), 78.5µJ (off)
Package composant fournisseur D2PAK Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 134.5ns Puissance - Max 88W
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms 497-16478-2 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 38 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT Trench Field Stop
gate charge 43nC Description détaillée IGBT Trench Field Stop 600V 10A 88W Surface Mount D2PAK
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 20A Courant - Collecteur (Ic) (max) 10A

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