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STGB6M65DF2

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Référence STGB6M65DF2
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 91705 pcs
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Référence STGB6M65DF2 Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 91705 pcs Fiche technique STGB6M65DF2
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A Condition de test 400V, 6A, 22 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 15ns/90ns énergie de commutation 36µJ (on), 200µJ (off)
Package composant fournisseur D2PAK Séries M
Temps de recouvrement inverse (trr) 140ns Puissance - Max 88W
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT Trench Field Stop
gate charge 21.2nC Description détaillée IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Surface Mount D2PAK
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 24A Courant - Collecteur (Ic) (max) 12A

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