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STGF17NC60SD

STGF17NC60SD
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Référence STGF17NC60SD
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 17A 32W TO220FP
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 73122 pcs
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Référence STGF17NC60SD Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 17A 32W TO220FP État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 73122 pcs Fiche technique STGF17NC60SD
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 12A Condition de test 480V, 12A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 17.5ns/175ns énergie de commutation 135µJ (on), 815µJ (off)
Package composant fournisseur TO-220FP Séries PowerMESH™
Temps de recouvrement inverse (trr) 31ns Puissance - Max 32W
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3 Full Pack
Autres noms 497-13580-5 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type d'entrée Standard
type de IGBT - gate charge 54.5nC
Description détaillée IGBT 600V 17A 32W Through Hole TO-220FP Courant - Collecteur pulsée (Icm) 80A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 17A

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