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STGF20M65DF2

STGF20M65DF2
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Référence STGF20M65DF2
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT TRENCH 650V 40A TO220FP
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 83643 pcs
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Référence STGF20M65DF2 Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT TRENCH 650V 40A TO220FP État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 83643 pcs Fiche technique STGF20M65DF2
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A Condition de test 400V, 20A, 12 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 26ns/108ns énergie de commutation 140µJ (on), 560µJ (off)
Package composant fournisseur TO-220FP Séries M
Temps de recouvrement inverse (trr) 166ns Puissance - Max 32.6W
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack Autres noms 497-17319
STGF20M65DF2-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type d'entrée Standard
type de IGBT Trench Field Stop gate charge 63nC
Description détaillée IGBT Trench Field Stop 650V 40A 32.6W Through Hole TO-220FP Courant - Collecteur pulsée (Icm) 80A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 40A

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