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STGF19NC60KD

STGF19NC60KD
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Référence STGF19NC60KD
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 16A 32W TO220FP
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 74243 pcs
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Référence STGF19NC60KD Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 16A 32W TO220FP État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 74243 pcs Fiche technique STGx19NC60KD
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.75V @ 15V, 12A Condition de test 480V, 12A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 30ns/105ns énergie de commutation 165µJ (on), 255µJ (off)
Package composant fournisseur TO-220FP Séries PowerMESH™
Temps de recouvrement inverse (trr) 31ns Puissance - Max 32W
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3 Full Pack
Autres noms 497-12595-5
STGF19NC60KD-ND		 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 38 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT -
gate charge 55nC Description détaillée IGBT 600V 16A 32W Through Hole TO-220FP
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 75A Courant - Collecteur (Ic) (max) 16A
Numéro de pièce de base STG*19NC

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