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STGP30M65DF2

STGP30M65DF2
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Référence STGP30M65DF2
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 650V 30A TO-220AB
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 70947 pcs
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Référence STGP30M65DF2 Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 650V 30A TO-220AB État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 70947 pcs Fiche technique STGP30M65DF2
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A Condition de test 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 31.6ns/115ns énergie de commutation 300µJ (on), 960µJ (off)
Package composant fournisseur TO-220 Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 140ns Puissance - Max 258W
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-15841-5 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT Trench Field Stop
gate charge 80nC Description détaillée IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Through Hole TO-220
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 120A Courant - Collecteur (Ic) (max) 60A

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