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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > STGP3NB60FD

STGP3NB60FD

STGP3NB60FD
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Référence STGP3NB60FD
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 6A 68W TO220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 105791 pcs
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Référence STGP3NB60FD Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 6A 68W TO220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 105791 pcs Fiche technique STGx3NB60F(D)
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 3A Condition de test 480V, 3A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 12.5ns/105ns énergie de commutation 125µJ (off)
Package composant fournisseur TO-220AB Séries PowerMESH™
Temps de recouvrement inverse (trr) 45ns Puissance - Max 68W
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-2652-5 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type d'entrée Standard
type de IGBT - gate charge 16nC
Description détaillée IGBT 600V 6A 68W Through Hole TO-220AB Courant - Collecteur pulsée (Icm) 24A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 6A Numéro de pièce de base STG*3NB

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