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STGP3NB60KD

STGP3NB60KD
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Référence STGP3NB60KD
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 10A 50W TO220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 93952 pcs
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Référence STGP3NB60KD Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 10A 50W TO220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 93952 pcs Fiche technique STGx3NB60KD(FP)
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 3A Condition de test 480V, 3A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 14ns/33ns énergie de commutation 30µJ (on), 58µJ (off)
Package composant fournisseur TO-220AB Séries PowerMESH™
Temps de recouvrement inverse (trr) 45ns Puissance - Max 50W
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Température de fonctionnement 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT -
gate charge 14nC Description détaillée IGBT 600V 10A 50W Through Hole TO-220AB
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 24A Courant - Collecteur (Ic) (max) 10A
Numéro de pièce de base STG*3NB

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