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STGP6M65DF2

STGP6M65DF2
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Référence STGP6M65DF2
Fabricant STMicroelectronics
La description TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 109468 pcs
Référence Prix
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Référence STGP6M65DF2 Fabricant STMicroelectronics
La description TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 109468 pcs Fiche technique STGP6M65DF2 Datasheet
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A Condition de test 400V, 6A, 22 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 12ns/86ns énergie de commutation 40µJ (on), 136µJ (off)
Package composant fournisseur TO-220 Séries M
Temps de recouvrement inverse (trr) 140ns Puissance - Max 88W
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-16967 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT Trench Field Stop
gate charge 21.2nC Description détaillée IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Through Hole TO-220
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 24A Courant - Collecteur (Ic) (max) 12A

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