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STGW25M120DF3

STGW25M120DF3
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Référence STGW25M120DF3
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 1200V 50A 375W
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 15532 pcs
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Référence STGW25M120DF3 Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 1200V 50A 375W État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 15532 pcs Fiche technique STGW(A)25M120DF3
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 25A Condition de test 600V, 25A, 15 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 28ns/150ns énergie de commutation 850µJ (on), 1.3mJ (off)
Package composant fournisseur TO-247-3 Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 265ns Puissance - Max 375W
Emballage Tube Package / Boîte TO-247-3
Autres noms 497-15058-5 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT Trench Field Stop
gate charge 85nC Description détaillée IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 375W Through Hole TO-247-3
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 100A Courant - Collecteur (Ic) (max) 50A

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