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STGW20NB60KD

STGW20NB60KD
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Référence STGW20NB60KD
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 50A 170W TO247
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 26216 pcs
Référence Prix
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Référence STGW20NB60KD Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 50A 170W TO247 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 26216 pcs Fiche technique STGW20NB60KD
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 20A Condition de test 480V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 39ns/105ns énergie de commutation 675µJ (on), 500µJ (off)
Package composant fournisseur TO-247-3 Séries PowerMESH™
Temps de recouvrement inverse (trr) 80.5ns Puissance - Max 170W
Emballage Tube Package / Boîte TO-247-3
Autres noms 497-2654-5 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type d'entrée Standard
type de IGBT - gate charge 85nC
Description détaillée IGBT 600V 50A 170W Through Hole TO-247-3 Courant - Collecteur pulsée (Icm) 100A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 50A Numéro de pièce de base STG*20NB

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