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STL110NS3LLH7

STL110NS3LLH7
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Référence STL110NS3LLH7
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 4077 pcs
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Référence STL110NS3LLH7 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4077 pcs Fiche technique STL110NS3LLH7
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6) Séries STripFET™ H7
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 mOhm @ 14A, 10V Dissipation de puissance (max) 4W (Ta), 75W (Tc)
Emballage Original-Reel® Package / Boîte 8-PowerVDFN
Autres noms 497-16038-6 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2110pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13.7nC @ 4.5V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V Description détaillée N-Channel 30V 120A (Tc) 4W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)

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