STL11N65M2
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| Référence | STL11N65M2 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.865 | $0.781 | $0.627 | $0.488 | $0.404 | |
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | STL11N65M2 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 87483 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | - | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 670 mOhm @ 3.5A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 85W (Tc) |
| Emballage | Cut Tape (CT) | Package / Boîte | - |
| Autres noms | 497-15053-1 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 42 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 100V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12.4nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 650V |
| Description détaillée | N-Channel 650V 7A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 7A (Tc) |
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