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STL12P6F6

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Référence STL12P6F6
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET P-CH 60V 4A 8POWERFLAT
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 87270 pcs
Référence Prix
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Référence STL12P6F6 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET P-CH 60V 4A 8POWERFLAT État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 87270 pcs Fiche technique STL12P6F6
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6) Séries DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 1.5A, 10V Dissipation de puissance (max) 75W (Tc)
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte 8-PowerVDFN
Autres noms 497-13840-1 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 38 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 48V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 10V
type de FET P-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 60V
Description détaillée P-Channel 60V 4A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)

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