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STL13N65M2

STL13N65M2
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Référence STL13N65M2
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 92130 pcs
Référence Prix
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Référence STL13N65M2 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 92130 pcs Fiche technique STL13N65M2
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6) HV Séries MDmesh™ M2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 475 mOhm @ 3A, 10V Dissipation de puissance (max) 52W (Tc)
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte 8-PowerVDFN
Autres noms 497-15476-1 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 100V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 650V
Description détaillée N-Channel 650V 6.5A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Tc)

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