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STN1NF10

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Référence STN1NF10
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 138731 pcs
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Référence STN1NF10 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 138731 pcs Fiche technique STN1NF10
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-223 Séries STripFET™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 500mA, 10V Dissipation de puissance (max) 2.5W (Tc)
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA
Autres noms 497-14747-1 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 105pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 100V Description détaillée N-Channel 100V 1A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1A (Tc)

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