STS10DN3LH5
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| Référence | STS10DN3LH5 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.56 | $0.496 | $0.392 | $0.304 | $0.24 | |
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STS10DN3LH5 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 92961 pcs | Fiche technique | STS10DN3LH5 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Package composant fournisseur | 8-SO | Séries | STripFET™ V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 5A, 10V | Puissance - Max | 2.5W |
| Emballage | Cut Tape (CT) | Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms | 497-10011-1 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 5V | type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET | Logic Level Gate | Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10A 2.5W Surface Mount 8-SO | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 10A |
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