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STS10P3LLH6

STS10P3LLH6
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Référence STS10P3LLH6
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 88698 pcs
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Référence STS10P3LLH6 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 88698 pcs Fiche technique STS10P3LLH6
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-SO Séries STripFET™ H6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 5A, 10V Dissipation de puissance (max) 2.7W (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms 497-15482-2 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3350pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 4.5V type de FET P-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V Description détaillée P-Channel 30V 10A (Ta) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta)

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