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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > STTH1210FP

STTH1210FP

STTH1210FP
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Référence STTH1210FP
Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220FP
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 6026 pcs
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Référence STTH1210FP Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220FP État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 6026 pcs Fiche technique STTH1210
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Inverse de crête (max) Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 12A Tension - Ventilation TO-220FPAC
Séries - État RoHS Tube
Temps de recouvrement inverse (trr) Fast Recovery = 200mA (Io) Résistance @ Si, F -
Polarisation TO-220-2 Full Pack Autres noms 497-7581-5
STTH1210FP-ND
Température d'utilisation - Jonction 90ns Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Référence fabricant STTH1210FP
Description élargie Diode Standard 1000V (1kV) 12A Through Hole TO-220FPAC Configuration diode 10µA @ 1000V
La description DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220FP Courant - fuite, inverse à Vr 2V @ 12A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 1000V (1kV) Capacité à Vr, F 175°C (Max)

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