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STU2NK100Z

STU2NK100Z
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Référence STU2NK100Z
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 58393 pcs
Référence Prix
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Référence STU2NK100Z Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 58393 pcs Fiche technique STx2NK100Z
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur I-PAK Séries SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 Ohm @ 900mA, 10V Dissipation de puissance (max) 70W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Autres noms 497-12694-5
STU2NK100Z-ND		 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 499pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 1000V Description détaillée N-Channel 1000V 1.85A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.85A (Tc)

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