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STU2N62K3

STU2N62K3
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Référence STU2N62K3
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 620V 2.2A IPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 79681 pcs
Référence Prix
(En dollars américains)		1 pcs75 pcs150 pcs525 pcs1050 pcs
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Référence STU2N62K3 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 620V 2.2A IPAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 79681 pcs Fiche technique STx2N62K3
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur I-PAK Séries SuperMESH3™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6 Ohm @ 1.1A, 10V Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Autres noms 497-12360 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 620V Description détaillée N-Channel 620V 2.2A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.2A (Tc)

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