STW18N60DM2
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| Référence | STW18N60DM2 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 600V 12A |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | 1020 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.194 | $0.964 | $0.868 | $0.675 | $0.559 | |
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STW18N60DM2 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 600V 12A | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 64002 pcs | Fiche technique | STW18N60DM2 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-247 | Séries | MDmesh™ DM2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 295 mOhm @ 6A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 90W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-247-3 |
| Autres noms | 497-16340-5 | Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 42 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 100V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 600V |
| Description détaillée | N-Channel 600V 12A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-247 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 12A (Tc) |
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