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STW18NM60N

STW18NM60N
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Référence STW18NM60N
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 27552 pcs
Référence Prix
(En dollars américains)
600 pcs
$1.425

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Référence STW18NM60N Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 27552 pcs Fiche technique STx18NM60N
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-247-3 Séries MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 285 mOhm @ 6.5A, 10V Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-247-3
Autres noms 497-10997-5
STW18NM60N-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 50V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 600V
Description détaillée N-Channel 600V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-247-3 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Tc)

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