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STW18NK80Z

STW18NK80Z
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Référence STW18NK80Z
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 24077 pcs
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Référence STW18NK80Z Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 24077 pcs Fiche technique STW18NK80Z
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 150µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-247-3 Séries SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 10A, 10V Dissipation de puissance (max) 350W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-247-3
Autres noms 497-4423-5 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6100pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 800V Description détaillée N-Channel 800V 19A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-247-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19A (Tc)

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