TSM1NB60CP ROG
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| Référence | TSM1NB60CP ROG |
|---|---|
| Fabricant | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| La description | MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.257 | $0.225 | $0.174 | $0.129 | $0.103 | |
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | TSM1NB60CP ROG | Fabricant | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 203929 pcs | Fiche technique | TSM1NB60 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-252, (D-Pak) | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 500mA, 10V | Dissipation de puissance (max) | 39W (Tc) |
| Emballage | Cut Tape (CT) | Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms | TSM1NB60CP ROGCT TSM1NB60CP ROGCT-ND TSM1NB60CPROGCT |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 32 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 138pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 600V |
| Description détaillée | N-Channel 600V 1A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1A (Tc) |
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