TSM220NB06LCR RLG
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| Référence | TSM220NB06LCR RLG |
|---|---|
| Fabricant | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| La description | MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH |
| État sans plomb / État RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.111 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | TSM220NB06LCR RLG | Fabricant | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH | État sans plomb / État RoHS | |
| Quantité disponible | 207300 pcs | Fiche technique | TSM220NB06LCR |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 8-PDFN (5x6) | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 8A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 3.1W (Ta), 68W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 8-PowerLDFN |
| Autres noms | TSM220NB06LCRRLGTR | Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1314pF @ 30V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 60V | Description détaillée | N-Channel 60V 8A (Ta), 35A (Tc) 3.1W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 8A (Ta), 35A (Tc) |
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