EPC2010
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| Référence | EPC2010 |
|---|---|
| Fabricant | EPC |
| La description | TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.719 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | EPC2010 | Fabricant | EPC |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 14107 pcs | Fiche technique | EPC2010 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
| Vgs (Max) | +6V, -4V | La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Package composant fournisseur | Die | Séries | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 6A, 5V | Dissipation de puissance (max) | - |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | Die |
| Autres noms | 917-1016-2 | Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 5V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 200V | Description détaillée | N-Channel 200V 12A (Ta) Surface Mount Die |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 12A (Ta) |
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