EPC2012CENGR
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| Référence | EPC2012CENGR |
|---|---|
| Fabricant | EPC |
| La description | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.41 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | EPC2012CENGR | Fabricant | EPC |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 96411 pcs | Fiche technique | EPC2012C Datasheet |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Test | 100pF @ 100V |
| Tension - Ventilation | Die Outline (4-Solder Bar) | Vgs (th) (Max) @ Id | 100 mOhm @ 3A, 5V |
| La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) | Séries | eGaN® |
| État RoHS | Tape & Reel (TR) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5A (Ta) |
| Polarisation | Die | Autres noms | 917-EPC2012CENGRTR |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Référence fabricant | EPC2012CENGR |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1nC @ 5V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 1mA |
| Fonction FET | N-Channel | Description élargie | N-Channel 200V 5A (Ta) Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar) |
| Tension drain-source (Vdss) | - | La description | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 200V | Ratio de capacité | - |
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