EPC2012C
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| Référence | EPC2012C |
|---|---|
| Fabricant | EPC |
| La description | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.517 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | EPC2012C | Fabricant | EPC |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 66981 pcs | Fiche technique | EPC2012C Datasheet |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | +6V, -4V | La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Package composant fournisseur | Die Outline (4-Solder Bar) | Séries | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 3A, 5V | Dissipation de puissance (max) | - |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | Die |
| Autres noms | 917-1084-2 | Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 12 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 100V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1.3nC @ 5V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V | Tension drain-source (Vdss) | 200V |
| Description détaillée | N-Channel 200V 5A (Ta) Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 5A (Ta) |
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