EPC2108ENGRT
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| Référence | EPC2108ENGRT |
|---|---|
| Fabricant | EPC |
| La description | TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.772 | $0.696 | $0.622 | $0.559 | ||
| 250 pcs | 500 pcs | 1000 pcs | |||
| $0.497 | $0.435 | $0.361 | |||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | EPC2108ENGRT | Fabricant | EPC |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 102166 pcs | Fiche technique | EPC2108 Datasheet |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| Package composant fournisseur | 9-BGA (1.35x1.35) | Séries | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V | Puissance - Max | - |
| Emballage | Original-Reel® | Package / Boîte | 9-VFBGA |
| Autres noms | 917-EPC2108ENGRDKR | Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V | type de FET | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| Fonction FET | GaNFET (Gallium Nitride) | Tension drain-source (Vdss) | 60V, 100V |
| Description détaillée | Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1.7A, 500mA |
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