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BYT08P-1000

BYT08P-1000
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Référence BYT08P-1000
Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AC
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 59799 pcs
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Référence BYT08P-1000 Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AC État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 59799 pcs Fiche technique BYT 08P-1000
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.9V @ 8A
Tension - inverse (Vr) (max) 1000V Package composant fournisseur TO-220AC
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 155ns Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-2 Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 150°C
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 1000V 8A Through Hole TO-220AC Courant - fuite, inverse à Vr 35µA @ 1000V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 8A Capacité à Vr, F -

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