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STD19N3LLH6AG

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Référence STD19N3LLH6AG
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 30V 10A DPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 129647 pcs
Référence Prix
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Référence STD19N3LLH6AG Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 30V 10A DPAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 129647 pcs Fiche technique STD19N3LLH6AG DatasheetSpice Model Tutorial for Power MOSFETS
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur DPAK Séries STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 5A, 10V Dissipation de puissance (max) 30W (Tc)
Emballage Original-Reel® Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms 497-16512-6 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 321pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 4.5V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V Description détaillée N-Channel 30V 10A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)

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