STD1HN60K3
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| Référence | STD1HN60K3 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.172 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STD1HN60K3 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 114259 pcs | Fiche technique | STD1HN60K3, STU1HN60K3 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | DPAK | Séries | SuperMESH3™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 600mA, 10V | Dissipation de puissance (max) | 27W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms | 497-13748-2 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 600V | Description détaillée | N-Channel 600V 1.2A (Tc) 27W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1.2A (Tc) |
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- Partie#:
MAX19588ETN+TD - Fabricant:
Maxim Integrated - La description:
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4659