STD1NK60-1
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| Référence | STD1NK60-1 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 600V 1A IPAK |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 75 pcs | 150 pcs | 525 pcs | 1050 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.378 | $0.302 | $0.264 | $0.205 | $0.162 | |
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STD1NK60-1 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 600V 1A IPAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 127090 pcs | Fiche technique | STx1(H)NK60(-1,R) |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | I-PAK | Séries | SuperMESH™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 Ohm @ 500mA, 10V | Dissipation de puissance (max) | 30W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Autres noms | 497-12782-5 STD1NK60-1-ND STD1NK601 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 156pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 600V | Description détaillée | N-Channel 600V 1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1A (Tc) |
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