STFW1N105K3
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| Référence | STFW1N105K3 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO3PF |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | 1020 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.407 | $1.131 | $1.03 | $0.834 | $0.704 | |
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STFW1N105K3 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO3PF | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 43922 pcs | Fiche technique | ST(F,P)1N105K3 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | ISOWATT-218FX | Séries | SuperMESH3™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 Ohm @ 600mA, 10V | Dissipation de puissance (max) | 20W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | ISOWATT218FX |
| Autres noms | 497-13646-5 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 1050V | Description détaillée | N-Channel 1050V 1.4A (Tc) 20W (Tc) Through Hole ISOWATT-218FX |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1.4A (Tc) |
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