STFW42N60M2-EP
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| Référence | STFW42N60M2-EP |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 600V 34A |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.667 | $3.006 | $2.713 | $2.273 | ||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STFW42N60M2-EP | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 600V 34A | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 15960 pcs | Fiche technique | STF(W)42N60M2-EP |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | ISOWATT-218FX | Séries | MDmesh™ M2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 87 mOhm @ 17A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 63W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | ISOWATT218FX |
| Autres noms | 497-16309-5 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2370pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 600V | Description détaillée | N-Channel 600V 34A (Tc) 63W (Tc) Through Hole ISOWATT-218FX |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 34A (Tc) |
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