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STGD3NB60HDT4

STGD3NB60HDT4
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Référence STGD3NB60HDT4
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 10A 50W DPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 87608 pcs
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Référence STGD3NB60HDT4 Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 10A 50W DPAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 87608 pcs Fiche technique STGD3NB60HD
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 3A Condition de test 480V, 3A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 5ns/53ns énergie de commutation 33µJ (off)
Package composant fournisseur DPAK Séries PowerMESH™
Temps de recouvrement inverse (trr) 95ns Puissance - Max 50W
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT -
gate charge 21nC Description détaillée IGBT 600V 10A 50W Surface Mount DPAK
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 24A Courant - Collecteur (Ic) (max) 10A
Numéro de pièce de base STG*3NB

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