STGD4M65DF2
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| Référence | STGD4M65DF2 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 2500 pcs | 5000 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.136 | $0.129 | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STGD4M65DF2 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 151044 pcs | Fiche technique | STGD4M65DF2 Datasheet |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 650V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A | Condition de test | 400V, 4A, 47 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 12ns/86ns | énergie de commutation | 40µJ (on), 136µJ (off) |
| Package composant fournisseur | DPAK | Séries | M |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 133ns | Puissance - Max | 68W |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms | 497-16963-2 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Type d'entrée | Standard |
| type de IGBT | Trench Field Stop | gate charge | 15.2nC |
| Description détaillée | IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount DPAK | Courant - Collecteur pulsée (Icm) | 16A |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 8A |
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