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STGD3NB60SD-1

STGD3NB60SD-1
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Référence STGD3NB60SD-1
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 6A 48W DPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 93597 pcs
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Référence STGD3NB60SD-1 Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 6A 48W DPAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 93597 pcs Fiche technique STGD3NB60SD
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 3A Condition de test 480V, 3A, 1 kOhm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 125µs/3.4µs énergie de commutation 1.1mJ (on), 1.15mJ (off)
Package composant fournisseur DPAK Séries PowerMESH™
Temps de recouvrement inverse (trr) 1.7µs Puissance - Max 48W
Emballage Tube Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement 175°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT -
gate charge 18nC Description détaillée IGBT 600V 6A 48W Surface Mount DPAK
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 25A Courant - Collecteur (Ic) (max) 6A
Numéro de pièce de base STG*3NB

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