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STGD3NC120H-1

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Référence STGD3NC120H-1
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 1200V 16A IPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 81175 pcs
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Référence STGD3NC120H-1 Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 1200V 16A IPAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 81175 pcs Fiche technique STGD3NC120H-1
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 3A Condition de test 800V, 3A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 15ns/118ns énergie de commutation 236µJ (on), 290µJ (off)
Package composant fournisseur IPAK (TO-251) Séries -
Puissance - Max 105W Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT -
gate charge 24nC Description détaillée IGBT 1200V 16A 105W Through Hole IPAK (TO-251)
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 20A Courant - Collecteur (Ic) (max) 16A

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