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STGFW20H65FB

STGFW20H65FB
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Référence STGFW20H65FB
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 650V 40A 52W TO3PF
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 43773 pcs
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Référence STGFW20H65FB Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 650V 40A 52W TO3PF État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 43773 pcs Fiche technique STG(F)W(T)20H65FB
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A Condition de test 400V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 30ns/139ns énergie de commutation 77µJ (on), 170µJ (off)
Package composant fournisseur TO-3PF Séries -
Puissance - Max 52W Emballage Tube
Package / Boîte TO-3PFM, SC-93-3 Autres noms 497-15122-5
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type d'entrée Standard
type de IGBT Trench Field Stop gate charge 120nC
Description détaillée IGBT Trench Field Stop 650V 40A 52W Through Hole TO-3PF Courant - Collecteur pulsée (Icm) 80A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 40A

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