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STGFW40H65FB

STGFW40H65FB
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Référence STGFW40H65FB
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT HB 650V 40A ISOWATT218
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 75751 pcs
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Référence STGFW40H65FB Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT HB 650V 40A ISOWATT218 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 75751 pcs Fiche technique STGW(T)40H65FB
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Condition de test 400V, 40A, 5 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 40ns/142ns énergie de commutation 498µJ (on), 363µJ (off)
Package composant fournisseur TO-3PF-3 Séries -
Puissance - Max 62.5W Emballage Tube
Package / Boîte TO-3P-3 Full Pack Autres noms 497-15540-5
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT Trench Field Stop
gate charge 210nC Description détaillée IGBT Trench Field Stop 650V 80A 62.5W Through Hole TO-3PF-3
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 160A Courant - Collecteur (Ic) (max) 80A

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